Samsung đang sản xuất hàng loạt DRAM 10nm thế hệ thứ 2
Samsung đang sản xuất hàng loạt DRAM 10nm thế hệ thứ 2 21/12/2017 Lượt xem: 3125 Bình luận: Chuyên mục: Ram

Samsung Electronics Co., Ltd. – tập đoàn hàng đầu thế giới về công nghệ bộ nhớ tiên tiến, đã ra công bố kế hoạch sản xuất đại trà bộ nhớ DDR4 DRAM 8-gigabit (10 nm) đầu tiên của ngành công nghiệp này. Bộ nhớ 8-gigabit (Gb) DDR4 DRAM mới có hiệu năng cao nhất cũng như sử dụng hiệu quả năng lượng hiệu quả cho một chip 8Gb DRAM.

 

Gyoyoung Jin, chủ tịch bộ phận kinh doanh, mảng bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết: “Bằng việc nghiên cứu phát triển và ứng dụng các công nghệ tiến bộ, chúng tôi đã vượt qua được rào cản lớn nhất đối với khả năng mở rộng DRAM”, “Cùng với việc tăng tốc độ DRAM 10 nm thế hệ thứ 2, chúng tôi sẽ mở rộng sản xuất DRAM 10 nm tổng thể, nhằm đáp ứng nhu cầu thị trường mạnh mẽ và tiếp tục tăng cường khả năng cạnh tranh của doanh nghiệp”.

 

Theo dự tính, Samsung sẽ tăng 30% sản lượng sản xuất của DRAM 10nm thế hế thứ 2 so với hãng đã làm ở DRAM 10nm thế hệ đầu tiên. Ngoài ra, mức hiệu suất 8 Gb DDR4 mới đã được cải thiện 15% so với người tiền nhiệm nhờ vào việc sử dụng công nghệ thiết kế mạch lạc tiên tiến độc quyền của Samsung. Bộ nhớ DDR4 8Gb mới có thể hoạt động ở tốc độ 3.600 megabit / giây (Mbps) trên mỗi pin, so với 3.200 Mbps của phiên bản trước.